Nuevas memorias Flash de Samsung

La compañía presentó un nuevo chip Flash NAND de 32 Gigabit y el primer prototipo de lo que será la próxima generación de memorias no volátiles, la PRAM.

Samsung Electronics dio a conocer dos importantes avances en el campo de las memorias para dispositivos electrónicos: un chip Flash NAND de 32 Gigabit (Gb) desarrollado con tecnología de 40 nanómetros (nm); y el primer prototipo de la próxima generación de memorias, llamada PRAM (Phase change Random Access Memory).

Memoria Flash Samsung

Según informó la compañía, el nuevo chip Flash NAND de 32 Gb podría ser utilizado en tarjetas de memoria que ofrecerían una capacidad de almacenamiento de hasta 64 Gigabytes (GB). Es decir, en una sola tarjeta, se podrían guardar 40 películas en calidad DVD o 16.000 archivos MP3.

El chip, además, incorpora una nueva arquitectura denominada Charge Trap Flash (CTF) , que ofrece un mayor respaldo y control sobre los datos almacenados, al tiempo que facilitará la escalabilidad hacia procesos de producción de 30 e incluso 20 nm.

La memoria Flash NAND es un chip semiconductor que guarda información incluso si se desconecta de una fuente de energía. Su utilización se ha extendido a la vida diaria en reproductores de MP3, teléfonos móviles o cámaras fotográficas.

Lo que viene . Samsung también presentó el primer prototipo de lo esperan sea la memoria que reemplazará a las Flash NOR –que son más confiables, rápidas y caras que las NAND – dentro de los próximos diez años: la PRAM.

Bajo el apodo de ” RAM perfecta”, este nuevo desarrollo combina las velocidades de procesamiento de una memoria RAM con las prestaciones de una memoria no volátil para el almacenamiento de datos, como son las Flash .

Según la compañía, las memorias PRAM son 30 veces más rápidas que las memorias Flash convencionales y esperan que duren al menos 10 veces más.

Las nuevas memorias estarían disponibles a principios de 2008, con una capacidad inicial de 512 MB.

Fuente: http://www.lanacion.com.ar/839679

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